本文摘要：从科技部得知，北京大学朱瑞研究员、龚旗煌院士与合作者进行研究，针对反式结构钙钛矿太阳能电池在光电切换效率上不存在的瓶颈，明确提出了“胍盐辅助二次生长”方法，开创性地构建了钙钛矿薄膜半导体特性的调控，明显减少了器件中非电磁辐射填充的能量损失，在提高器件开路电压方面获得了突破，首次在反式结构器件中取得了多达1．21V的高开路电压（材料带上隙宽度～1．6eV）。

从科技部得知，北京大学朱瑞研究员、龚旗煌院士与合作者进行研究，针对反式结构钙钛矿太阳能电池在光电切换效率上不存在的瓶颈，明确提出了“胍盐辅助二次生长”方法，开创性地构建了钙钛矿薄膜半导体特性的调控，明显减少了器件中非电磁辐射填充的能量损失，在提高器件开路电压方面获得了突破，首次在反式结构器件中取得了多达1．21V的高开路电压（材料带上隙宽度～1．6eV）。同时，在不损失光电流和填满因子等性能参数的情况下，明显提升了反式结构钙钛矿电池的光电切换效率—实验室最低效率超过21．51％。

据理解，经中国计量科学研究院证书，器件的光电切换效率高约20．90％，是目前反式结构钙钛矿太阳能电池器件效率的最低记录。钙钛矿太阳能电池按照器件结构可分成月和反式两种结构，比起于月结构，反式结构器件因制取工艺更为非常简单、可低温成膜、无显著回滞效应、合适与传统太阳能电池（硅基电池、铜铟镓硒等）融合制取叠层器件等优点，受到学术界和产业界的注目。

但依然不存在开路电压与理论值差距较小、光电切换效率依然偏高等应用于瓶颈。据报，该院校的此次结果为提高反式钙钛矿太阳能电池器件效率、前进该类新型光伏器件的应用于化发展获取了新思路，可更进一步扩展到钙钛矿叠层太阳能电池以及钙钛矿闪烁器件中，具备潜在的应用于前景和商业价值。

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